本文對太陽能電池的暗電流產生原因進行了系統的研究。暗電流不僅僅包括反向飽和電流。還包括薄層漏電流和體漏電流。在太陽能電池實際生產中，暗電流高于５Ａ的電池比例偏高，其產生的原因多種多樣。我們經過長期大量的實驗，研究了暗電流高的原因。并在生產中提出了相應的解決辦法。

　　1、引言

　　在沒有光照的條件下，給ＰＮ結加反偏電壓（Ｎ區接正，Ｐ區接負），此時會有反向的電流產生，這就是所謂的暗電流。對太陽能電池而言，暗電流不僅僅包括反向飽和電流，還包括薄層漏電流和體漏電流。反向飽和電流是指給ＰＮ結加一反偏電壓時，外加的電壓使得ＰＮ結的耗盡層變寬，內建電場變大，電子的電勢能增加，Ｐ區和Ｎ區的多數載流子數載流子（Ｐ區多子為空穴，Ｎ區多子為電子）就很難越過勢壘，因此擴散電流趨近于零，但是由于結電場的增加，使得Ｎ區和Ｐ區中的少數載流子更容易產生漂移運動。在這種情況下，ＰＮ結內的電流由起支配作用的漂移電流決定。漂移電流的方向與擴散電流的方向相反，表現在外電路上有—個流入Ｎ區的反向電流，它是由少數載流子的漂移運動形成的。由于少數載流子是由本征激發而產生的，在溫度一定的情況下，熟激發產生的少子數量是一定的，電流趨于恒定。太陽能電池片可以分３層，即薄層（即Ｎ區），耗盡層（即ＰＮ結），體區（即Ｐ區）。復合的過程始終伴隨著載流子的定向移動，必然會有微小的電流產生，這些電流對測試所得的暗電流的值是有貢獻的，由薄層貢獻的部分稱之為薄層漏電流，由體區貢獻的部分稱之為體漏電流。

　　２、實驗及分析

　　在太陽能電池實際生產中，暗電流高的電池比例偏高，同碎片率一樣，是影響電池成品合格率的兩大主要因素之一。這些電池產生的原因多種多樣極其復雜，我們經過長期大量的實驗，分析了暗電流高與５Ａ電池產生的具體原因，并在生產中提出了相應的解決辦法。

　　２.１硅片內在質量原因

　　鑄造多晶硅相對直拉單晶硅的制備工藝簡單，成本較低，但控制雜質和缺陷的能力也較弱。鑄造多晶硅中的氧、碳、氮、氫及金屬雜質和高密度的晶界、位錯以及微缺陷都有可能造成電池反向電流的增加。所以，在鑄錠過程中應嚴格控制硅料的雜質含量，優化鑄錠工藝，嚴格控制硅錠的雜質含量和電阻率等參數，嚴格控制微晶缺陷產生。圖１顯示的是經過線鋸切割后受損傷的硅片表面情況，表面完全與硅基體剝離，大大影響了硅基體表面性質。

圖１鑄造多晶磕蜀出躺醐瞎惦受損傷的硅片表面情況

　　2.2電池的加工工藝原因

　　２.２.１制絨工藝

　　１）潤洗污染：在多晶硅片酸制絨的生產過程中，潤洗系統內部會生成不溶性鹽類，在對硅片進行潤洗的過程中會污染硅片的表面，形成ＰＮ結缺陷，進而影響鍍膜，在雜質處未鍍膜或形成鍍膜缺陷，燒結時污染，尤其是人為污染；優化電池加工各工序的工藝，避免機械損傷，對降低電池的暗電流有非常重要的作用。漿料會在在雜質處穿過薄膜層，造成電池的反向暗電流增大。

　　２）風刀油水污染：主要是壓縮空氣中油水的污染。在制絨設備中，各工藝槽后均有風刀，其作用是去除硅片表面的化學液體和水。風刀用的氣體為壓縮空氣，其中含有部分油和水的混合物，它會玷污硅片表面，從而形成表面缺陷。

　　２.２．２擴散工藝

　　ＰＮ結均勻性差，高方塊電阻的硅片ＰＮ結相對較淺，相同的燒結條件下，ＰＮ結較淺的地方易被漿料穿透，造成漏電流偏大。在生產中應嚴格控制方塊電阻的大小，調整合適的工藝，使方塊電阻的均勻性提高，從而降低電池的暗電流。